Geschichtete Halbleiterstrukturen und Verfahren zur Herstellung Geschichteter Halbleiterstrukturen

EP4765192 24. Juni 2026

Anmelder: Nokia Solutions and Networks Oy, Nokia Networks France 🇫🇮

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4765192
Anmeldetag
18. Dezember 2024
Veröffentlichung
24. Juni 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

A layered semiconductor structure comprises: an InP on Silicon, InPoSi, substrate. The InPoSi substrate comprises: a silicon substrate; a silica layer on the silicon substrate; and an InP seed layer on the silica layer; a stack of III-V layers on the InPoSi substrate. The stack of III-V layers comprises a buffer layer above the InP seed layer. The buffer layer is made of In<y>Al<1-y>As, y being smaller than or equal to 0.53.

Anmelder

Firmen
Nokia Solutions and Networks Oy
Nokia Networks France
Land
🇫🇮 Finnland
🇫🇮 Nokia Solutions and Networks

Finnisches Unternehmen der Nokia-Gruppe, das Mobilfunknetzwerktechnik, Telekommunikationsinfrastruktur sowie zugehörige Dienstleistungen für Netzbetreiber weltweit entwickelt.

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