Verfahren zur Herstellung einer Femfet-Vorrichtung
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4766070
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2025
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif FeMFET comprenant :- une fourniture d'un transistor (1) comprenant une grille (10), une source (12) et un drain (13) connectés à des vias (14, 15),- une formation d'une première couche métallique (21),- une formation d'une couche ferroélectrique (30a),- une structuration de la couche ferroélectrique (30a) pour former un motif fermé (31) surmontant la grille (10) et des motifs ouverts (32a) surmontant les vias (14, 15),- une formation d'une deuxième couche métallique (22),- une gravure de la deuxième couche métallique (22), configurée pour former des vias (221, 222) en s'arrêtant sur la couche ferroélectrique (30a) et,- une gravure de la première couche métallique (21) de part et d'autre du motif fermé (31) et des motifs ouverts (32a), configurée pour former des lignes (211, 212).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
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