Nichtflüchtige Speicheranordnung und Verfahren zu Ihrer Herstellung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4766071

Anmeldetag

15. Dezember 2025

Veröffentlichung

24. Juni 2026

Rechtsraum

EP

IPC

H10B63/00, H10B53/30

Abstract

L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant : • un transistor (1), • une interconnexion (I) connectant la source (12), comprenant : une ligne (212), un via (222), une première portion (32a) d'une couche d'arrêt de gravure (30) intercalée entre le via (222) et la ligne (212), • un élément mémoire (M) connectant le drain (13), comprenant : - une première électrode (E1) comprenant une ligne (211), un via (221), et une deuxième portion (32b) de la couche d'arrêt intercalée entre les deux, - une couche (31) à base d'un matériau diélectrique ou ferroélectrique couvrant la ligne (211) et le via (221), - une deuxième électrode (E2) surmontant la couche (31), • une interconnexion (I) connectant la grille (10), comprenant : une ligne (212), un via (222), et une troisième portion (32c) de la couche d'arrêt intercalée entre les deux.

Anmelder

Firma

COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Land

🇫🇷 Frankreich