Doppelwannen-Bipolartransistor für Esd- und Überspannungsschutz
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4766095
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2025
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
An ESD protection device is disclosed. The ESD protection device comprises a substrate having a first conductivity type, the substrate forming a collector of a bipolar junction transistor, an epitaxial region above the substrate having a second conductivity type and forming a base of the bipolar junction transistor, a first well disposed at an upper surface of the epitaxial region, the first well having the first conductivity type and forming an emitter of the bipolar junction transistor, a base-contact region having a contact-region doping concentration of the second conductivity type that is greater than an epitaxial-region doping concentration of the second conductivity type of the epitaxial region, and a second well having the first conductivity type and located adjacent to the base-contact region to restrict at least in part a contact area between the base-contact region and the epitaxial region.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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