Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Wafers
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4769481
- Anmeldetag
- 30. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205, C30B29/06
Abstract
The present invention is a method for manufacturing an epitaxial wafer by forming a single-crystal silicon layer on a single-crystal silicon wafer via an oxygen-atom layer, the method including the steps of removing a native oxide film, forming a thermal oxide film on a surface of the single-crystal silicon wafer from which the native oxide film has been removed, thinning the thermal oxide film, and after thinning the thermal oxide film, epitaxially growing single-crystal silicon to form an epitaxial wafer in which the single-crystal silicon layer is formed on the single-crystal silicon wafer via the oxygen-atom layer. This provides the method for manufacturing an epitaxial wafer, in which, when manufacturing a silicon epitaxial wafer, the oxygen-atom layer can be introduced into an epitaxial layer stably and easily.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.