Vertikale In-Situ-Siliciumoberflächen auf Reaktionsgebundenem Siliciumcarbidkörper durch Kapillaraufstiegsmechanismus

EP4772493 8. Juli 2026

Anmelder: II-VI Delaware, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4772493
Anmeldetag
17. Juli 2025
Veröffentlichung
8. Juli 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

A method of producing vertical silicon surfaces for mirror substrate applications is described. In some embodiments, methods as described herein may create a polishable silicon layer on a SiSiC surface.

Anmelder

Firma
II-VI Delaware, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 II-VI Delaware

US-amerikanisches Unternehmen, das optische Komponenten, Laser und Halbleiterbauteile für Telekommunikation, Industrie und Sensorik entwickelt, Teil von Coherent.

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ZSP Patentanwälte PartG mbB München, Deutschland

Geht auf die 1992 gegründete Kanzlei Dr. Volker Vossius zurück, firmiert seit 2015 als Zwicker Schnappauf & Partner, mit Standorten in München und Berlin. Schwerpunkt auf Biotechnologie, Chemie, Medizintechnik und Pharmazie, Website in sechs Sprachen abrufbar.

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