Herstellungsverfahren für einen Sic-Volumeneinkristall mit Temperungs-Abkühlphase und Einkristalliner Kreiszylindrischer Sic-Grundkörper

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4779062

Anmeldetag

15. Januar 2025

Veröffentlichung

22. Juli 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Das Verfahren ist zur Herstellung mindestens eines SiC-Volumeneinkristalls (24) mittels einer Sublimationszüchtung bestimmt. Vor dem Züchtungsbeginn wird in mindestens einem Kristallwachstumsbereich (5) eines Züchtungstiegels (3) mindestens ein SiC-Keimkristall (8) angeordnet, und wird in einen SiC-Vorratsbereich (4) des Züchtungstiegels (3) SiC-Quellmaterial (6) eingebracht. Während einer Züchtungsphase wird mittels Sublimation des SiC-Quellmaterials (6) und mittels Transport der sublimierten gasförmigen Komponenten in den mindestens einen Kristallwachstumsbereich (5) dort eine SiC-Wachstumsgasphase (9) erzeugt, und wächst der mindestens eine eine zentrale Kristallmittenlängsachse (14) aufweisende SiC-Volumeneinkristall (24) mittels Abscheidung aus der SiC-Wachstumsgasphase (9) auf dem mindestens einen SiC-Keimkristall (8) auf. Während einer nach Abschluss der Züchtungsphase in dem Züchtungstiegel durchgeführten Temperungs-Abkühlphase wird der zuvor gezüchtete mindestens eine SiC-Volumeneinkristall (24) abgekühlt, wobei innerhalb des mindestens einen SiC-Volumeneinkristalls (24) ein in Richtung der zentralen Kristallmittenlängsachse (14) gemessener axialer Abkühlungs-Temperaturgradienten vorgesehen wird, und ein axialer Quotient zwischen dem axialen Abkühlungs-Temperaturgradienten und einem am Ende der vorangegangenen Züchtungsphase innerhalb des mindestens einen aufgewachsenen SiC-Volumeneinkristalls (24) herrschenden und ebenfalls in Richtung der zentralen Kristallmittenlängsachse (14) gemessenen axialen Züchtungs-Temperaturgradienten höchstens einen axialen Vergleichswert von 0,4 hat.

Anmelder

Firma

SiCrystal GmbH

Land

🇩🇪 Deutschland