Verfahren zur Herstellung eines Wellenleiters

EP4782893 29. Juli 2026

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4782893
Anmeldetag: 13. Januar 2026
Veröffentlichung: 29. Juli 2026
Rechtsraum: EP
IPC: G02B6/132

Abstract

Ce procédé comporte les étapes :a) utiliser un empilement comprenant successivement :- un substrat (1), réalisé en silicium ;- une couche (2) de dioxyde de silicium, formant une gaine inférieure du guide d'ondes ;b) déposer une couche (3) de nitrure de silicium sur la couche (2) de dioxyde de silicium par un dépôt physique en phase vapeur ;c) graver partiellement la couche (3) de nitrure de silicium de manière à former un cœur (C) du guide d'ondes ;d) déposer une couche (4) de dioxyde de silicium autour du cœur (C) formé lors de l'étape c) de manière à former une gaine supérieure du guide d'ondes ;procédé dans lequel la couche (3) de nitrure de silicium est soumise à un traitement (T) de surface par un plasma adapté pour obtenir une rugosité de surface inférieure à un seuil prédéterminé.

Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von