Leistungstransistor auf Basis eines Iii-V-Materials
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4783769
- Anmeldetag
- 22. Januar 2026
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
L'invention concerne un transistor de puissance 0 à base d'un matériau III-V comprenant :- un empilement 1 de couches 10, 11, 12, 13, 14 selon une direction verticale (z), ledit empilement comprenant, à partir d'une surface supérieure 100 dudit empilement :∘ Une première barrière 11 à base d'AlGaN,∘ Une deuxième barrière 12 à base d'AlGaN ou à base de GaN,∘ Une troisième barrière 13 à base d'AlGaN, et∘ Une couche 10 à base dudit matériau III-V,- un motif de grille 20 comprenant :∘ Une grille métallique 21,∘ Un diélectrique de grille 22,ledit transistor étant tel que le motif de grille traverse totalement la première barrière 11, la deuxième barrière 12 et la troisième barrière 13 et en partie la couche à base dudit matériau III-V 10, selon la direction verticale (z).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
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