Optoelektronische Struktur mit Gruppe-Iv-Material und Photonisches Instrument damit
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Université Grenoble Alpes 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4783779
- Anmeldetag
- 27. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
This invention concerns an optoelectronic device (1) comprising: - a silicon-based substrate (10), - an array (14) of group-IV based nanowires (13) extending along a z direction, each nanowire (13) comprising: • a first portion (130) comprising at least one group IV element, the first portion (130) having a first conductivity of a first type of carrier, • a second portion (132) comprising at least one group IV element, the second portion (132) having a second conductivity of a second type of carrier, • an active region (131) comprising at least one group IV element, the active region (131) being configured to emit or absorb infrared radiation (3) of wavelength λ, said active region (131) being inter-posed between the first portion (130) and the second portion (132).
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Université Grenoble Alpes - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Französische Universität mit Sitz in Grenoble, entstanden aus Zusammenschluss mehrerer Hochschulen, mit Lehre und Forschung in Natur-, Ingenieur-, Geistes- und Sozialwissenschaften.
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