Strukturen und Verfahren für Selbstausgerichtete Gate-Drain-Überlappungs-Graben-Mosfets
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4791144
- Anmeldetag
- 17. November 2025
- Veröffentlichung
- 12. August 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A self-aligned gate-drain overlap trench MOSFET includes a trench gate structure that includes a trench extending from the first major surface into the region of semiconductor material, a shield dielectric layer adjacent to a lower portion of the trench, and a shield electrode adjacent to the shield dielectric layer in the lower portion of the active trench. The gate electrode includes a second polycrystalline semiconductor material, a gate conductive layer adjacent to the gate electrode, and a dielectric fill structure in the trench electrically isolating the gate electrode and the gate conductive layer from the shield electrode. The body region has a bottom edge, and the width of the body region above the bottom edge is substantially greater than a width of the semiconductor material below the bottom edge.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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