Verfahren und Laservorrichtung zum Erzeugen eines Euv-Licht Emittierenden Plasmas eines Targetmaterials
Anmelder: TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing SE 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4794138
- Anmeldetag
- 2. Februar 2026
- Veröffentlichung
- 19. August 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S3/10, H05G1/02
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Laservorrichtung zum Erzeugen eines EUV-Licht emittierenden Plasmas (12) eines Targetmaterials (14), umfassend die folgenden Schritte: Erzeugen wenigstens eines ersten Hauptpulses (18) und wenigstens eines zweiten Hauptpulses (20) mit einer Pulszeitdifferenz (54), Zuführen des Targetmaterials (14) in eine Targetkammer (36), Auftreffen des wenigstens einen ersten Hauptpulses (18) und des wenigstens einen zweiten Hauptpulses (20) auf das Targetmaterial (14) mit einer Auftreffzeitdifferenz (50), wobei die Pulszeitdifferenz (54) größer als die Auftreffzeitdifferenz (50) ausgebildet ist.
Anmelder
- Firma
- TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing SE
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Vertreten von
-
Trumpf Patentabteilung
Trumpf Patentabteilung · Ditzingen