Halbleiterspeicheranordnung

EP4794467 19. August 2026

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4794467
Anmeldetag
20. Januar 2026
Veröffentlichung
19. August 2026
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00, // H10D30/67
Offizieller Volltext

Abstract

An example of a semiconductor memory device includes a substrate; bitlines extending in a first direction on the substrate; first back gate lines extending in a second direction; first semiconductor patterns connected to the bitlines and extending in a third direction, on the first back gate lines; wordlines extending in the second direction on the first semiconductor patterns; second semiconductor patterns connected to the bitlines and extending in the third direction, on the wordlines; and second back gate lines extending in the second direction on the second semiconductor patterns.

Anmelder

Firma
Samsung Electronics Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

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