Kontaktband, das sich zu einer Gemeinsamen Source-/drain-Region von Benachbarten Gate-Strukturen Erstreckt
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4794479
- Anmeldetag
- 9. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 19. August 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to a contact strap extending to a common source/drain region of adjacent gate structures and methods of manufacture. The structure includes: a first gate structure; a second gate structure adjacent to the first gate structure; a common diffusion region to the first gate structure and the second gate structure; a trench lined with insulator material; and a contact strap extending within the trench and connecting to the common diffusion region.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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Seit über 50 Jahren nahe dem Europäischen Patentamt in München tätig, deutscher Kern der EUROMARKPAT-Gruppe. Eigene Büros in Russland, der Ukraine und weiteren Ländern Osteuropas und Eurasiens ermöglichen direkte Vertretung ohne lokale Kanzleien.