Verfahren zum Chemisch-Mechanischen Polieren einer Substrathalbleiterscheibe

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4796258

Anmeldetag

25. Februar 2025

Veröffentlichung

26. August 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemisch-mechanischen-Polieren wenigstens einer Substrathalbleiterscheibe mittels einer Poliervorrichtung umfassend wenigstens einen Polierkopf, der wenigstens eine Druckkammer und einen Haltering am äußeren Rand umfasst, wobei wenigstens eine aktuell zu polierende Substrathalbleiterscheibe eine erste Scheibenseite und eine zweite Scheibenseite umfasst, wobei das Verfahren wenigstens eine Polierabfolge umfasst, welche folgende Schritte umfasst: (I): Kontaktieren der ersten Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe mit einem Poliertuch, welches auf einem Polierteller der Poliervorrichtung aufgebracht ist; (II): Bestimmen und Einstellen eines Polierdrucks an dem Polierkopf, wobei der Polierdruck durch eine Polierdruckverteilung beschrieben ist, wobei sich der Polierdruck aus wenigstens einem Polierkammerdruck einer zugeordneten Druckkammer zusammensetzt, wobei das Bestimmen des Polierdrucks, insbesondere das Bestimmen des wenigstens einen Polierkammerdrucks, durch Rückgriff auf eine Datenbank von Polierrezepten wenigstens in Abhängigkeit wenigstens einer zuvor ermittelten räumlichen Ist-Kontur für die erste Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe und einer vorgebbaren räumlichen Soll-Kontur der ersten Scheibenseite der Substrathableiterscheibe erfolgt; und (III): Ausüben des Polierdruckes, insbesondere des wenigstens einen Polierkammerdrucks, aus Schritt II) auf die zweite Scheibenseite über die zugeordnete wenigstens eine Druckkammer des wenigstens einen Polierkopfs und die Kontaktierung des Halterings auf das Poliertuch.

Anmelder

Firmen

Siltronic AG
Siltronic Silicon Wafer Pte. Ltd.

Land

🇩🇪 Deutschland