Hemt-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4797903

Anmeldetag

18. Februar 2026

Veröffentlichung

26. August 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

La présente description concerne un transistor (43) HEMT comportant : - une première couche semiconductrice (13) ; et - une grille (45) disposée sur une première face de la première couche semiconductrice (13), dans lequel la grille (45) comprend une alternance d'au moins deux premières couches (451) et d'au moins trois deuxièmes couches (453), les premières couches (451) étant dopées en magnésium et en au moins l'un des éléments dopants choisi parmi le silicium et l'oxygène et les premières couches (451) ayant une concentration en éléments dopants supérieure à la concentration en éléments dopants dans les deuxièmes couches (453).

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz