Transistor mit einem Aktiven Bereich unter dem Gate-Läufer
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4797904
- Anmeldetag
- 17. November 2025
- Veröffentlichung
- 26. August 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A transistor is disclosed. The transistor includes a gate runner coupled to a gate of the transistor. The transistor also includes a source region and a silicide layer coupling a source metal to the source region. The silicide layer includes a silicide contact area located under the source metal and coupling the source metal to a first portion of the source region under the source metal, and a silicide extension area located under an insulator and providing a lateral coupling from the source metal to a second portion of the source region located under the insulator.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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