Verbesserte Ohmsche Kontaktherstellung auf einer Gan- Basierten Schicht

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4801223

Anmeldetag

19. Februar 2026

Veröffentlichung

2. September 2026

Rechtsraum

EP

IPC

H10D64/01, // H10D62/85

Abstract

Procédé de réalisation d'un contact ohmique sur une couche semi-conductrice (14) à base de GaN dopée p comprenant, dans cet ordre, les étapes suivantes :-prévoir un substrat (10) se terminant par une couche semi-conductrice à base de GaN (14),-effectuer au moins une implantation de la couche semi-conductrice (14) à l'aide de Magnésium (Mg) de sorte à introduire des atomes de Mg dans la couche semi-conductrice (14) et de manière à rendre amorphe une région superficielle (142) de la couche semi-conductrice (14), tout en conservant une région inférieure (141) cristalline de la couche semi-conductrice,-déposer une première couche métallique (17) sur et en contact de la région superficielle (142) rendue amorphe de la couche semi-conductrice (14),-effectuer au moins un traitement thermique de recuit selon une température et une durée de recuit prévues de manière à faire réagir la région superficielle (142) et la première couche métallique (17) pour former une zone d'alliage de métal et de semi-conducteur et former entre cette zone d'alliage de métal et de semi-conducteur et la région inférieure cristalline de la couche semi-conductrice une couche delta comportant des atomes de Magnésium.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete