Verfahren zur Charakterisierung eines Mosfets

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4807376

Anmeldetag

5. März 2026

Veröffentlichung

16. September 2026

Rechtsraum

EP

IPC

G01R31/26

Abstract

Procédé de caractérisation d'un transistor de type MOSFET (100), comprenant:a) plusieurs applications d'une tension de contrainte sur la grille (110) du transistor, déclenchant un piégeage de charges dans son diélectrique de grille (112), et plusieurs déterminations d'une première caractéristique électrique de conduction du transistor (100), puisb) plusieurs applications d'une tension de récupération sur la grille (112), déclenchant une libération de charges électriques piégées, et plusieurs déterminations de la première caractéristique électrique de conduction, puisc) calcul, à partir des valeurs précédemment déterminées en mettant en œuvre les étapes a) et b) avec au moins deux valeurs différentes de la tension de contrainte, d'une dérive d'une deuxième caractéristique électrique de conduction du transistor (100), puisd) détermination que le diélectrique de grille a été soumis ou non à un recuit de nitruration selon que la valeur du facteur d'accélération en tension p vérifie ou non la relation p = a×T_OX + b.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete