Mos-Transistoren mit Doppelgate und Verfahren zu Ihrer Herstellung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4811956

Anmeldetag

5. März 2026

Veröffentlichung

23. September 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

La présente description concerne un transistor MOSFET (200) situé dans et sur un substrat semiconducteur et comportant :- une zone active (110) du substrat le long d'une première direction (X) du plan (XY) du substrat ; et- une structure de grille (220) comprenant une première région (221) au-dessus de la zone active et une deuxième région (222) au-dessus de la première région ;la première région a une première longueur (L21), la deuxième région a une deuxième longueur (L22) supérieure à la première longueur et déborde de part et d'autre de la première région dans la première direction ;la deuxième région a un premier bord longitudinal (222a) qui déborde d'un deuxième bord longitudinal (221a) de la première région dans la deuxième direction (Y) du plan ;la deuxième région présente une ouverture (224) qui s'étend dans la deuxième direction à partir d'un troisième bord longitudinal (222b) de ladite deuxième région opposé au premier bord longitudinal.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz