Halbleiterbauelement mit Integrierter Galvanischer Isolation und Verfahren zur Herstellung Dieses Halbleiterbauelements

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4812007

Anmeldetag

17. März 2026

Veröffentlichung

23. September 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit integrierter galvanischer Isolation und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements mit Daten- und/oder Energieübertragung zwischen zwei galvanisch voneinander getrennten Schaltungsdomänen mit den folgenden Verfahrensschritten: A Bereitstellen eines isolierenden Substrats mit einer Oberseite und einer Unterseite; B Ausbilden einer Halbleiterschichtstruktur durch Aufwachsen und/oder Abscheiden von Epitaxieschichten auf der Oberseite des Substrats, wobei Schaltungen aus aktiven und/oder passiven Schaltungskomponenten zumindest einer der zwei Schaltungsdomänen ausgebildet werden; C Aufbringen einer Vorderseitenmetallisierung in zumindest einer vorderseitigen Metallisierungsebene mittelbar oder unmittelbar auf der dem Substrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtstruktur, wobei die Vorderseitenmetallisierung ein vorderseitiges Übertragungselement für die galvanische Trennung umfasst; D Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung in zumindest einer rückseitigen Metallisierungsebene mittelbar oder unmittelbar auf der der Halbleiterschichtstruktur abgewandten Unterseite des Substrats, wobei die rückseitige Metallisierungsebene ein rückseitiges Übertragungselement für die galvanische Trennung umfasst; E Ausbilden einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen zumindest einer Schaltungsdomäne aus Verfahrensschritt B und dem vorderseitigen oder dem rückseitigen Übertragungselement.

Anmelder

Firma

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Land

🇩🇪 Deutschland