Halbleitergehäuse mit einem Umverteilungssubstrat

EP4812010 23. September 2026

Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4812010
Anmeldetag
6. Februar 2026
Veröffentlichung
23. September 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

A semiconductor package according to embodiments of the present disclosure includes a package substrate; a redistribution substrate bonded to the package substrate by a first bump, and including a dielectric layer and redistribution patterns; a first underfill layer filled in the space between the package substrate and the redistribution substrate; a semiconductor chip bonded to the redistribution substrate by a second bump; and a first molding layer disposed on the redistribution substrate, and surrounding the semiconductor chip, wherein the dielectric layer includes a negative tone dielectric layer that includes polyimide at a mass ratio of 50% or more.

Anmelder

Firma
SK hynix Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

140 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen