Substratverarbeitungsverfahren, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Substratverarbeitungsvorrichtung und Programm
Anmelder: Kokusai Electric Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4814162
- Anmeldetag
- 26. März 2026
- Veröffentlichung
- 30. September 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
It is possible to improve characteristics of a film formed on a substrate. There is provided a technique that includes: (a) supplying a source gas; (b) supplying a first adsorption promoter; (c) supplying a reactive gas; (d) forming a film on a substrate by sequentially performing (a), (b) and (c) a predetermined number of times; and (e) supplying a first adsorption inhibitor in (d), wherein (e) is performed before (b) or after (b), or (e) is performed before (b) and after (b).
Anmelder
- Firma
- Kokusai Electric Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Kokusai Electric ist ein japanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Schwerpunkt Wärmebehandlungssysteme. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.
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Münchner Patentanwalt Thomas Verscht, Diplom-Physiker, berät zu Patenten, Marken und Designs für nationale und internationale Mandanten.