Schutzvorrichtung gegen Elektrostatische Entladung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4823275

Anmeldetag

31. März 2026

Veröffentlichung

14. Oktober 2026

Rechtsraum

EP

IPC

H10D62/10, H10D89/60

Abstract

La présente description concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (200) comprenant successivement :- un substrat semiconducteur (101) dopé du type P ;- une première couche semiconductrice (103) dopée du type N, sur et en contact avec une face supérieure du substrat ;- une deuxième couche semiconductrice (115) dopée d'atomes de bore, sur et en contact avec la première couche, la deuxième couche ayant une concentration en atomes de bore supérieure ou égale à 10¹⁷ atomes/cm³ ; et- une troisième couche semiconductrice dopée du type N, sur une face supérieure de la deuxième couche, la première couche étant plus fortement dopée que la troisième couche,le dispositif comportant en outre des tranchées d'isolation (107) s'étendant à travers les première, deuxième et troisième couches et débouchant dans le substrat, définissant, dans la troisième couche, entre les tranchées, au moins un caisson.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz

Fachgebiete