Giessereikompatible und Ultraniedrige Widerstands-Unter-Höcker-Metallisierung für Elektroplattierte Höcker
EP4823305
14. Oktober 2026
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4823305
- Anmeldetag
- 8. April 2025
- Veröffentlichung
- 14. Oktober 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N69/00, H01L23/00
Abstract
A semiconductor structure, comprising: a semiconductor-based substrate; a barrier layer disposed on the substrate; an electroplating seed layer disposed on the barrier layer; wherein the barrier layer is configured for mitigating atom diffusion from the seed layer into the substrate; a capping layer disposed on the seed layer and configured for resisting oxidation of the seed layer; and a solder bump disposed on the capping layer.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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