Verfahren zur Herstellung eines Polykristallinen Siliciumblockmaterials, Verfahren zur Herstellung eines Polykristallinen Siliciumwafers und Polykristallines Siliciumblockmaterial

WO2011081082 Art A1 7. Juli 2011

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011081082
Aktenzeichen: EP10840938
Anmeldetag: 24. Dezember 2010
Veröffentlichung: 7. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/04C30B29/06C30B33/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von