Halbleiterbauelement mit einem Bipolar - Ldmos - Transistor, sowie Kaskodenschaltung

WO2012098179 Art A1 26. Juli 2012

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012098179
Aktenzeichen: EP12700408
Anmeldetag: 19. Januar 2012
Veröffentlichung: 26. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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