Hetero-Substrat zur Herstellung von Integrierten Schaltkreisen mit Optischen, Opto-Elektronischen und Elektronischen Komponenten

WO2013079688 Art A1 6. Juni 2013

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013079688
Aktenzeichen: EP12810126
Anmeldetag: 30. November 2012
Veröffentlichung: 6. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/84H01L21/02H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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