Gate-Kommutierter Thyristor und Verfahren zu Seiner Herstellung
WO2024245423
Art A1
5. Dezember 2024
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024245423
- Aktenzeichen
- EP24814617
- Anmeldetag
- 31. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D18/00H10D18/60H10D62/10H10D62/17H10D18/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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