Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung auf Basis von Kristallinem Siliciumcarbid (sic)

WO2024251767 Art A1 12. Dezember 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024251767
Aktenzeichen: EP24731888
Anmeldetag: 5. Juni 2024
Veröffentlichung: 12. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18C30B29/36C30B33/06H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von