Verfahren zur Herstellung eines Sic-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Sic-Substrat und Halbleiterbauelement
WO2024262363
Art A1
26. Dezember 2024
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024262363
- Aktenzeichen
- EP24825768
- Anmeldetag
- 10. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B33/02C30B33/06H01L21/02H01L21/20H01L21/31H01L21/205H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Kanzlei
Wuesthoff & Wuesthoff
München, Deutschland
Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.
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