Zuverlässigkeitsverbesserungen unter Verwendung von Speicherchip-Binning

WO2025006505 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025006505
Aktenzeichen: EP24832810
Anmeldetag: 25. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/26G11C16/34G11C16/24G06F3/06G11C5/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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