Herstellungsverfahren für Gan-Epitaxialfilm und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
WO2025009374
Art A1
9. Januar 2025
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025009374
- Aktenzeichen
- EP24835888
- Anmeldetag
- 18. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B25/18H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Kanzlei
Wuesthoff & Wuesthoff
München, Deutschland
Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.
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