Endeffektor- und Substratübertragungssequenz für Dicke, Schwere Und/oder Gekrümmte Substrate mit Begrenzten Vertikalen Abständen
WO2025029412
Art A1
6. Februar 2025
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025029412
- Aktenzeichen
- EP24849787
- Anmeldetag
- 26. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/677H01L21/687B25J11/00B25J15/00B25J9/04B25J9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München