Vertically-Arranged Gate All Around Transistors Having Uniform Cell Contact Lightly-Doped Drain Regions

WO2025034433 Art A1 13. Februar 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025034433
Aktenzeichen: EP24852558
Anmeldetag: 26. Juli 2024
Veröffentlichung: 13. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H10D30/67H10D64/27H10N97/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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