Hypotaxieverfahren mit Zweidimensionalem Material zur Bildung eines Kristallinen Dünnfilms

WO2025135318 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: Seoul National University R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025135318
Aktenzeichen: EP24907612
Anmeldetag: 16. April 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18C30B29/46H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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