ams OSRAM Patente
🇩🇪 Deutschland
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.060 gesamt| Patent | |||
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07.05.2020
Humidity Sensor Incorporating an Optical Waveguide
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.10.2019
Anhängig
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06.05.2020
Beleuchtungssteuerungssystem und Verfahren zur Erzeugung von Versorgungsströmen für Led-Kanäle
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.03.2015
Erteilt am 06.05.2020
Vertretung
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06.05.2020
Spad-Vorrichtung zur Überwachung von Übermässiger Vorspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.07.2017
Erteilt am 06.05.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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30.04.2020
Sensors with corrugated diaphragms
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 18.10.2019
Anhängig
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29.04.2020
Rfid-Transponder, Rfid-Transponder-Anordnung und Verfahren zur Kommunikation zwischen einem Rfid-Transponder und einer Lesevorrichtung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 01.06.2015
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
An RFID transponder (T) suitable for communication with a reading device (RD) and adapted to be connected to a monitored unit (MU) is provided. The RFID transponder (T) comprises a comparing unit (CU) adapted to and arranged to receive a status signal from the monitored unit (MU) and configured to compare a value of the status signal to at least one predefined reference value and a state machine circuit (STM) connected to the comparing unit (CU) and configured to determine, based on a result of the comparison, whether the value of the status signal lies outside a range of operation defined by the at least one reference value. The state machine circuit (STM) is further configured to indicate the reading device (RD) that the value of the status signal lies outside the range of operation if the value of the status signal lies outside the range of operation. |
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29.04.2020
Verfahren zur Herstellung eines Hochspannungsfeldeffekttransistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.03.2012
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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29.04.2020
Optische Sensoranordnung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 02.03.2016
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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22.04.2020
Verfahren zur Herstellung von Isolationsgräben in einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.06.2006
Erteilt am 22.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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22.04.2020
Verfahren zur Integration von Halbleitervorrichtungen auf Waferebene sowie Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.05.2012
Erteilt am 22.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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22.04.2020
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Aperturanordnung
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.11.2014
Erteilt am 22.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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16.04.2020
Ambient Light Sensor
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 11.10.2019
Anhängig
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15.04.2020
Zerteilungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.02.2014
Erteilt am 15.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
The dicing method comprises the steps of providing a substrate (1) of semiconductor material, the substrate having a main surface (10), where integrated components (3) of chips (13) are arranged, and a rear surface (11) opposite the main surface, fastening a first handling wafer above the main surface, thinning the substrate at the rear surface, and forming trenches (20) penetrating the substrate and separating the chips by a single etching step after the substrate has been thinned. |
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15.04.2020
Eingangsschaltungsanordnung
Software & Datenverarbeitung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 20.12.2011
Erteilt am 15.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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09.04.2020
Capacitance to digital converter, integrated sensor interface and sensor device
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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09.04.2020
High Resolution Time-Of-Flight Measurements
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.10.2019
Anhängig
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08.04.2020
Herstellung eines p-Kanal-LDMOS-Transistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.07.2010
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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02.04.2020
Circuit arrangement and sensor arrangements including the same
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.04.2020
Integrated optical transducer and method for fabricating an integrated optical transducer
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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02.04.2020
Mems microphone assembly and method for fabricating a mems microphone assembly
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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01.04.2020
Einzelphotonenlawinendiode und Anordnung von Einzelphotonenlawinendioden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.08.2017
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
A single photon avalanche diode, SPAD, comprises an active area (10) which is arranged to generate a photon triggered avalanche current. A cover (12) is arranged on or above the active area (10). The cover (12) shields the active area (10) from incident photons. The cover (12) comprises a stack of at least the first and a second metal layer (13, 14). At least one of the metal layers (13, 14), e.g. the first metal layer (13), comprises an aperture (15). The metal layers (13, 14) are arranged in the stack with respect to an optical axis (OA) such as to open an effective aperture (18) along the optical axis (OA). By way of the effective aperture (18) a portion (19) of the active area (10) is exposed to incident photons being incident along the optical axis (OA). The effective aperture (18) is smaller than the aperture (15) arranged in the first metal layer (13). |
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01.04.2020
Laterale Einzelphoton-Lawinendiode und Verfahren zum Herstellen einer Lateralen Einzelphoton-Lawinendiode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2012
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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01.04.2020
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.09.2017
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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01.04.2020
Integrierter Optischer Wandler und Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Optischen Wandlers
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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26.03.2020
Sensor device, sensor module, imaging system and method to operate a sensor device
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2020
Electrochemical Fuel-Cell-Type Gas Sensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.09.2019
Anhängig
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18.03.2020
Optoelektronische Vorrichtung mit einem Refraktiven Element und Verfahren zur Herstellung einer Derartigen Optoelektronischen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.01.2016
Erteilt am 18.03.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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12.03.2020
Optical sensor arrangement, device and method of manufacturing an optical sensor arrangement
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.03.2020
Biomarker Reader
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.09.2019
Anhängig
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11.03.2020
Elektrische Schaltanordnung für galvanisch isolierte Kommunikationen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.05.2012
Erteilt am 11.03.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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11.03.2020
Anordnung aus Optischem Sensor und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung eines Optisches Sensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.03.2020
Spektrometer mit einem dispersiven Körper
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 23.01.2014
Erteilt am 04.03.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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04.03.2020
Integrierter optischer Sensor und Verfahren zur Herstellung eines integrierten optischen Sensors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.12.2014
Erteilt am 04.03.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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27.02.2020
Particulate Matter Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 13.12.2018
Anhängig
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26.02.2020
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.10.2017
Erteilt am 26.02.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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19.02.2020
Optische Sensoranordnung und Verfahren zur Erzeugung eines analogen Ausgangssignals
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.09.2014
Erteilt am 19.02.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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13.02.2020
Ambient light sensor system
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 09.08.2019
Anhängig
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12.02.2020
Differentielle Verstärkungsebenenschaltung und Verfahren zur Vervielfachung einer Spannung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 01.09.2016
Erteilt am 12.02.2020
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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06.02.2020
Filter assembly, detector, and method of manufacture of a filter assembly
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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06.02.2020
Ambient light sensing system
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 01.08.2019
Anhängig
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06.02.2020
Multi-Layer Spectral Modulation Spectrometer
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.07.2019
Anhängig
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Wer vertritt ams OSRAM?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die ams OSRAM vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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