Verfahren zur Bildung eines dicken dielektrischen Gebietes in einem Halbleitersubstrat

EP1182699 Art B1 1. September 2010

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1182699
Aktenzeichen: EP01117972
Anmeldetag: 24. Juli 2001
Veröffentlichung: 1. September 2010
Erteilung: 1. September 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/764H01L21/311// H01L29/06H01L27/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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