Verfahren für einen Direkten Vergrabenen Verbindungsstreifen für Leitende Verbindungen im Selben Niveau für Halbleitervorrichtungen

EP1292979 Art B1 19. August 2009

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1292979
Aktenzeichen: EP01948582
Anmeldetag: 21. Juni 2001
Veröffentlichung: 19. August 2009
Erteilung: 19. August 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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