Mit Kupferdraht Verbundene Kupferkontaktfläche mit Selbstpassivierender Kupferlegierung
EP1348235
Art A2
1. Oktober 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1348235
- Aktenzeichen
- EP01987076
- Anmeldetag
- 14. November 2001
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/488H01L23/485H01L23/532H01L23/49H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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