Mit Kupferdraht Verbundene Kupferkontaktfläche mit Selbstpassivierender Kupferlegierung

EP1348235 Art A2 1. Oktober 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1348235
Aktenzeichen
EP01987076
Anmeldetag
14. November 2001
Veröffentlichung
1. Oktober 2003
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/488H01L23/485H01L23/532H01L23/49H01L21/60
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.942 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

368 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen