Isotropes Ätzverfahren für die Herstellung von Oberen Elektroden eines Mim-Kondensators

EP1396017 Art B1 13. Juni 2012

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1396017
Aktenzeichen: EP01995960
Anmeldetag: 28. November 2001
Veröffentlichung: 13. Juni 2012
Erteilung: 13. Juni 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3213H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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