Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors

EP1478029 Art B1 16. April 2014

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1478029
Aktenzeichen
EP04009363
Anmeldetag
21. April 2004
Veröffentlichung
16. April 2014
Erteilung
16. April 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/423H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Samsung Electronics Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

25.043 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Ruff, Michael Stuttgart, Deutschland
78
Patente gesamt
24
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Textiltechnik Medizintechnik & Gesundheit Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Verpackungs- & Fördertechnik Verfahrens- & Trenntechnik Kunststoff- & Polymertechnik
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