Gestapelte 1T-N Speicherzellenstruktur
EP1634333
Art B1
16. September 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1634333
- Aktenzeichen
- EP04785544
- Anmeldetag
- 13. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Erteilung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/22G11C11/15G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Kanzlei
Kilburn & Strode LLP
Kilburn & Strode wurde 1906 in London gegründet und war die erste europäische Patent- und Markenkanzlei, deren Anwälte in Kalifornien als Foreign Legal Consultants zugelassen wurden. Präsenzen bestehen zudem in den Niederlanden, München sowie San Francisco und Boston.
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