Herstellungsverfahren einer Gatestruktur für Dram-Zugriffstransistor
EP1671364
Art A1
21. Juni 2006
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1671364
- Aktenzeichen
- EP04784282
- Anmeldetag
- 16. September 2004
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/336H01L29/66H01L29/423H01L29/78H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Kanzlei
Kilburn & Strode LLP
Kilburn & Strode wurde 1906 in London gegründet und war die erste europäische Patent- und Markenkanzlei, deren Anwälte in Kalifornien als Foreign Legal Consultants zugelassen wurden. Präsenzen bestehen zudem in den Niederlanden, München sowie San Francisco und Boston.
22.492
Patente gesamt
35
Patentanwälte
2
Standorte