Halbleitertransistorvorrichtung mit hoher Elektronenbeweglichkeit und Herstellungsverfahren dafür
EP1923907
Art A3
15. April 2009
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1923907
- Aktenzeichen
- EP07018243
- Anmeldetag
- 18. September 2007
- Veröffentlichung
- 15. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/28H01L29/423H01L21/033H01L21/308
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Northrop Grumman Systems Corporation
Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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