Eine Ionisierungskammer und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP2212685 Art B1 17. Mai 2017

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2212685
Aktenzeichen
EP08851478
Anmeldetag
17. November 2008
Veröffentlichung
17. Mai 2017
Erteilung
17. Mai 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G01N27/62G01N27/68H01J41/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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