Impulsdichtemodulierungsverfahren und -vorrichtung
EP2365634
Art B1
21. Dezember 2016
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2365634
- Aktenzeichen
- EP10156140
- Anmeldetag
- 10. März 2010
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2016
- Erteilung
- 21. Dezember 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03M3/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Schwarzweller, Thomas
NXP Semiconductors Germany GmbH · Hannover
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Crawford, Andrew
NoneNijmegen
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Williamson, Paul Lewis
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