Dram-Auffrischung

EP2399260 Art B1 13. März 2019

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2399260
Aktenzeichen
EP10744102
Anmeldetag
22. Januar 2010
Veröffentlichung
13. März 2019
Erteilung
13. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/50G11C29/02G11C11/406G11C11/401
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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