Methode zur Abscheidung von SIO2 Schichten
Anmelder: Versum Materials US, LLC, Air Products and Chemicals, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2463404
- Aktenzeichen
- EP11192787
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2019
- Erteilung
- 23. Oktober 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/40C23C16/455H01L21/02
Abstract
This invention related to method to form silicon dioxide films that have extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process in which the silicon precursor is selected from one of: R<1>n R<2>m Si(NR<3>R<4>)<4-n-m>; and, a cyclic silazane of (R<1>R<2>SiNR<3>)<p>, where R<1>is an alkenyl or an aromatic, such as vinyl, allyl, and phenyl; R<2>is selected from H, alkyl with C<1>-C<10>, linear, branched, or cyclic, an alkenyl with C<2>-C<10>linear, branched, or cyclic, and aromatic; R<3>and R<4>are selected from H, alkyl with C<1>-C<10>, linear, branched, or cyclic, an alkenyl with C<2>-C<10>linear, branched, or cyclic, and aromatic, or are joined such that NR<3>R<4>is a cyclic amine; n=1-3, m=0-2; p=3-4.
Anmelder
- Firmen
- Versum Materials US, LLC
Air Products and Chemicals, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
Versum Materials US, LLC war ein US-amerikanischer Hersteller von Spezialchemikalien und -gasen für die Halbleiterfertigung, der 2019 von Merck KGaA übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Oberflächentechnik, ergänzt um Farben, Klebstoffe und organische Chemie. Anmeldungen erfolgten zwischen 2002 und 2025.
393 Patente in unserer Datenbank
US-amerikanisches Industriegasunternehmen mit Sitz in Allentown, Pennsylvania, Hersteller und Lieferant von Industriegasen sowie zugehörigen Anlagen und Verfahrenstechnik.
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