Muir, Benjamin M. J
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Patente
219 gesamt| Patent | |||
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06.11.2024 · Air Products and Chemicals, Inc.
Kryogener Gefriertunnel
Landwirtschaft & Nahrungsmitteltechnik
Verpackungs- & Fördertechnik
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Status
Angemeldet am 11.03.2009
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
Zusammenfassung
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18.01.2023 · Life Technologies Corporation
Verfahren und Zusammensetzungen zur Herstellung von Rna aus einer Fixierten Probe
Pharma & Biotechnologie
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Status
Angemeldet am 26.07.2004
Erteilt am 18.01.2023
Vertretung
Hallybone, Huw George · London
Weber, Birgit · Darmstadt
Muir, Benjamin M. J · London
HGF · München
Sonn & Partner Patentanwälte · Wien
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04.08.2021 · Versum Materials US, LLC
Verfahren zur chemisch-mechanischen Planarisierung eines wolframhaltigen Substrats
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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Status
Angemeldet am 15.02.2011
Erteilt am 04.08.2021
Vertretung
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20.01.2021 · AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
Verflüssigungsverfahren und -anlage
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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Status
Angemeldet am 16.11.2009
Erteilt am 20.01.2021
Vertretung
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23.12.2020 · Versum Materials US, LLC
Zylinderoberflächenbehandlung für Monochlorsilan
Metallurgie & Oberflächentechnik
Maschinenelemente & Fluidtechnik
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Status
Angemeldet am 10.06.2011
Erteilt am 23.12.2020
Vertretung
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30.10.2019 · Versum Materials US, LLC
Vorläufer für CVD-Siliziumcarbonitrid-Schichten
Organische Chemie
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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Status
Angemeldet am 11.05.2006
Erteilt am 30.10.2019
Vertretung
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23.10.2019 · Versum Materials US, LLC
Methode zur Abscheidung von SIO2 Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.12.2011
Erteilt am 23.10.2019
Vertretung
Zusammenfassung
This invention related to method to form silicon dioxide films that have extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process in which the silicon precursor is selected from one of: R<1>n R<2>m Si(NR<3>R<4>)<4-n-m>; and, a cyclic silazane of (R<1>R<2>SiNR<3>)<p>, where R<1>is an alkenyl or an aromatic, such as vinyl, allyl, and phenyl; R<2>is selected from H, alkyl with C<1>-C<10>, linear, branched, or cyclic, an alkenyl with C<2>-C<10>linear, branched, or cyclic, and aromatic; R<3>and R<4>are selected from H, alkyl with C<1>-C<10>, linear, branched, or cyclic, an alkenyl with C<2>-C<10>linear, branched, or cyclic, and aromatic, or are joined such that NR<3>R<4>is a cyclic amine; n=1-3, m=0-2; p=3-4. |
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11.09.2019 · Air Products and Chemicals, Inc.
Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung eines Temperaturgeregelten Gases
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.10.2010
Erteilt am 11.09.2019
Vertretung
Zusammenfassung
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11.09.2019 · Versum Materials US, LLC
Hochtemperatur-Atomschichtabscheidung von Siliziumoxiddünnschichten
Organische Chemie
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2013
Erteilt am 11.09.2019
Vertretung
Zusammenfassung
Atomic layer deposition (ALD) process formation of silicon oxide with temperature > 500°C is disclosed. Silicon precursors used have a formula of: I. R<1>R<2>m Si(NR<3>R<4>)<n>X<p> wherein R<1>, R<2>, and R<3>are each independently selected from hydrogen, a linear or branched C<1>to C<10>alkyl group, and a C<6>to C<10>aryl group; R<4>is selected from, a linear or branched C<1>to C<10>alkyl group, and a C<6>to C<10>aryl group, a C<3>to C<10>alkylsilyl group; wherein R<3>and R<4>are linked to form a cyclic ring structure or R<3>and R<4>are not linked to form a cyclic ring structure; X is a halide selected from the group consisting of Cl, Br and I; m is 0 to 3; n is 0 to 2; and p is 0 to 2 and m+n+p = 3; and II R<1>R<2>m Si(OR<3>)<n>(OR<4>)<q>X<p> wherein R<1>and R<2>are each independently selected from hydrogen, a linear or branched C<1>to C<10>alkyl group, and a C<6>to C<10>aryl group; R<3>and R<4>are each independently selected from a linear or branched C<1>to C<10>alkyl group, and a C<6>to C<10>aryl group; wherein R<3>and R<4>are linked to form a cyclic ring structure or R<3>and R<4>are not linked to form a cyclic ring structure; X is a halide atom selected from the group consisting of Cl, Br and I; m is 0 to 3; n is 0 to 2; q is 0 to 2 and p is 0 to 2 and m+n+q+p = 3. |
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03.07.2019 · Bharat Serums and Vaccines Ltd.
Monoklonale Anti-RHD-Antikörper
Medizintechnik & Gesundheit
Organische Chemie
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Status
Angemeldet am 24.12.2009
Erteilt am 03.07.2019
Vertretung
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Muir, Benjamin M. J in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.